AllgemeinGerätetypSolid State Drive - internKapazität15.36 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-bit AES-XTSNAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)Formfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)Byte pro Sektor512MerkmaleHalogen Free, TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller, unterstützt NGUID, S.M.A.R.T.Breite69.85 mmTiefe100.2 mmHöhe7 mmGewicht90 gLeistungLaufwerkaufzeichnungen pro Tag1Interner Datendurchsatz5200 MBps (lesen)/ 4000 MBps (Schreiben)4 KB Random Read850000 IOPS4 KB Random Write160000 IOPSMittlere Wartezeit0.02 msZuverlässigkeitMTBF2,000,000 StundenNicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17Erweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch11 Watt (Lesen) 13.5 Watt (Schreiben) 4 Watt (Leerlauf)VerschiedenesKennzeichnungTUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, RCMUmgebungs
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