Diese Arbeit umfasst die Simulationsergebnisse für die differenzielle Topologie und auch verbesserte Schaltung.Die Arbeit ist für den Frequenzbereich von 2,45 GHz - 2,85 GHz mit einer zentralen Frequenz von 2,65 GHz.Diese Arbeit auch zeigen, die Notwendigkeit der On-Chip-Induktivität und Kondensator-Design, da diese nimmt sehr große Silizium-Bereich.Abschließende Simulationsergebnisse zeigen, dass es ausreichende Verstärkung erreicht, wie es die Rauschzahl der nachfolgenden Schaltungen in Receiver Front End reduzieren wird. Neben der Spannungs- und Leistungsverstärkung wurden auch Simulationen für GA, Gt usw. durchgeführt, was das Design qualifiziert. Die Auswirkungen der Entwurfsparameter Lg und Ld auf das Rauschen bzw. Gian wurden ebenfalls aufgezeigt. Am Ende ist ein detailliertes Layout der Induktivität enthalten, um zu zeigen, wie viel Siliziumfläche sie beansprucht. Zukünftige Arbeiten umfassen daher das Design von On-Chip-Induktoren und -Kondensatoren.
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