Die Grundlagen von dreischichtigen HOI MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium Heterostrukturen auf Isolator Technologie

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Die Grundlagen von dreischichtigen HOI-MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium-Heterostrukturen auf Isolator-Technologie

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Marken Verlag Unser Wissen
EAN
  • 9786209842955

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