FRAM Breakout Board Speicher, 2,75,5 V Speicher IC Modul MB85RC256V Entwicklungstools mit 1 X für
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Jedes Byte kann sofort gelesen und geschrieben werden, aber 95 Jahre Speicher können bei Raumtemperatur erhalten bleiben. Ähnlich wie ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) besitzt dieses Modul nur eine ferroelektrische Schicht anstelle einer dielektrischen Schicht. Der verwendete FRAM-Chip kann 32 KB Speicher bereitstellen und einen Takt von bis zu 20 MHz verwenden. Der Bildschirm ist nichtflüchtig und kann unter normalen Bedingungen 10 Billionen Mal problemlos gelesen/geschrieben werden. Das Modul eignet sich besonders für den Einsatz mit Low-Power-Datenloggern und zur Datendämpfung bei fehlender stabiler Spannungsquelle.
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Jedes Byte kann sofort gelesen und geschrieben werden, aber 95 Jahre Speicher können bei Raumtemperatur erhalten bleiben. Ähnlich wie ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) besitzt dieses Modul nur eine ferroelektrische Schicht anstelle einer dielektrischen Schicht. Der verwendete FRAM-Chip kann 32 KB Speicher bereitstellen und einen Takt von bis zu 20 MHz verwenden. Der Bildschirm ist nichtflüchtig und kann unter normalen Bedingungen 10 Billionen Mal problemlos gelesen/geschrieben werden. Das Modul eignet sich besonders für den Einsatz mit Low-Power-Datenloggern und zur Datendämpfung bei fehlender stabiler Spannungsquelle.
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