Gembird Reiseadapter Set mit USB-Ladegerät 2x USB-C PD + 1x USB-A QC GaN 20W

Verwenden Sie diesen Reiseadapter, um Stecker aus aller Welt an Steckdosen weltweit anzuschließen. Ebenfalls geeignet zum Aufladen von Geräten über den integrierten USB-Ladeanschluss. Eigenschaften geeignet für Steckertypen A, B, C, E, F, G, I, J, L und N geeignet für Steckdosentypen B, E, F, G, I und O integrierter 3-Port USB-Lader zum Laden von (tragbaren) Geräten USB-C-Anschluss unterstützt Power Delivery Laden USB-A-Anschluss unterstützt Quick Charge Laden leistungsstarker, kompakter Lader dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie durch kleines und kompaktes Design ideal für unterwegs sicher in der Anwendung dank Kindersicherung Spezifikationen USB-C PD Anschlüsse 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt 9 Volt | bis 2,22 Ampere | bis 20 Watt 12 Volt | bis 1,67 Ampere | bis 20 Watt Spezifikationen USB-A Anschluss 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt 9 Volt | bis 2 Ampere | bis 18 Watt (Quick Charge) 12 Volt | bis 1,5 Ampere | bis 18 Watt (Quick Charge) Achtung! Angepasste Ladespezifikationen bei Nutzung mehrerer USB-Anschlüsse Wenn Sie mehrere USB-Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 20 W. Das bedeutet, dass das Laden der Geräte länger dauern kann, wenn Sie mehrere Geräte anschließen. Spezifikationen für Steckertypen: A, B, C, E, F, G, I, J, L und N für Steckdosentypen: B, E, F, G, I und O USB-Anschlüsse: 1x USB-A + 2x USB-C / max. 20 W Eingangsspannung: 100-250 V Belastung: max. 10 A Leistung: max. 2500 W Technologie: GaN geerdet: ja (bei Einstecken eines Steckers mit hervorstehendem Erdungsstift) Kindersicherung: ja Sicherung: 10A (gemäß BS1362) Konformität: RoHS, CE, VDE, ISO 9002 Farbe: weiß Garantie: 2 Jahre Achtung! Dies ist ein Reiseadapter, der es ermöglicht, Ihre Geräte an einer ausländischen Steckdose zu verwenden oder ausländische Geräte für eine europäische Steckdose anzupassen. Dieser Reiseadapter ist kein Spannungswandler! Geeignet für folgende Steckertypen Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in nahezu ganz Westeuropa Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (u.a. Niederlande und Deutschland) Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz Typ L: u.a. verwendet in Italien Typ N: u.a. verwendet in Brasilien Geeignet für folgende Steckdosentypen Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (u.a. Niederlande und Deutschland) Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien Typ O: u.a. verwendet in Thailand Power Delivery Verhandlung USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dynamisch dank des integrierten Chips anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell auf bis zu 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Strom über ein einziges USB-C-Kabel geliefert werden können. Dieser Lader verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion bereitstellt. Qualcomm Quick Charge (QC) Technologie Durch intensive Nutzung entlädt sich der Akku eines Smartphones oder Tablets schnell, was oft ärgerlich für den Nutzer ist. Das Warten, bis das Gerät vollständig geladen ist, ist dann sehr unangenehm. Dank des in vielen tragbaren Geräten integrierten Qualcomm Quick Charge Chips können Sie diese jetzt mit Quick Charge-kompatiblen Ladegeräten und Kabeln noch schneller aufladen. Kleineres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN) Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, einen leistungsstarken Lader in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15 Mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Außerdem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.