Gembird TPA 2A3C70 01 W Universal Reisenetzteil, 70 W, weiß (TPA W)

Verwenden Sie diesen Reiseadapter, um Stecker aus aller Welt an Steckdosen weltweit anzuschließen. Ebenfalls geeignet zum Laden von Geräten über den integrierten USB-Lader. Eigenschaften geeignet für Steckertypen A, B, C, E, F, G, I, J, L und N geeignet für Steckdosentypen A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, N und O zusätzliche Typ-A-Steckdose an der Seite für nicht geerdete nordamerikanische/japanische Stecker integrierter 5-Port USB-Lader zum Laden von (tragbaren) Geräten USB-C-Anschluss unterstützt Power Delivery Laden leistungsstarker, kompakter Lader dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie ideal für unterwegs dank kleinem und kompaktem Design sicher in der Anwendung dank Kindersicherung Spezifikationen USB-C PD Anschlüsse 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt 9 Volt | bis 3 Ampere | bis 27 Watt 12 Volt | bis 3 Ampere | bis 36 Watt 15 Volt | bis 3 Ampere | bis 45 Watt 20 Volt | bis 3,5 Ampere | bis 70 Watt Spezifikationen USB-A Anschlüsse 5 Volt | bis 2,4 Ampere | bis 12 Watt Achtung! Angepasste Ladespezifikationen bei gleichzeitiger Nutzung mehrerer USB-Anschlüsse Wenn Sie mehrere USB-Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 70 W. Das bedeutet, dass das Laden der Geräte länger dauern kann, wenn Sie mehrere Geräte anschließen. Spezifikationen für Steckertypen: A, B, C, E, F, G, I, J, L und N für Steckdosentypen: A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, N und O USB-Anschlüsse: 1x USB-A + 2x USB-C / max. 70 W Eingangsspannung: 100-250 V Belastung: max. 10 A Leistung: max. 2500 W Technologie: GaN geerdet: nein Kindersicherung: ja Sicherung: 10A (gemäß BS1362) konform: RoHS, CE, VDE, ISO 9002 Farbe: weiß Garantie: 2 Jahre Achtung! Dies ist ein Reiseadapter, der es ermöglicht, Ihre Geräte an einer ausländischen Steckdose zu verwenden oder ausländische Geräte für eine europäische Steckdose anzupassen. Dieser Reiseadapter ist kein Spannungswandler! Geeignet für folgende Steckertypen Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in fast ganz Westeuropa Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (z.B. Niederlande und Deutschland) Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz Typ L: u.a. verwendet in Italien Typ N: u.a. verwendet in Brasilien Geeignet für folgende Steckdosentypen Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in fast ganz Westeuropa Typ D: u.a. verwendet in Indien und Nepal Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (z.B. Niederlande und Deutschland) Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta Typ H: u.a. verwendet in Israel, Palästina und Gaza Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz Typ K: u.a. verwendet in Dänemark und Grönland Typ L: u.a. verwendet in Italien Typ N: u.a. verwendet in Brasilien Typ O: u.a. verwendet in Thailand Power Delivery Verhandlung USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dynamisch dank des integrierten Chips anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell bis zu maximal 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann dank des Chips auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch möglich ist, bis zu 100 Watt Strom über ein einzelnes USB-C-Kabel zu liefern. Dieser Lader verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion bereitstellt. Kleineres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN) Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, einen leistungsstarken Lader in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Lader Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.