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IPB015N08N5ATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 180A 375W PG-TO263-7 INFINEON
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Gehäuse: PG-TO263-7 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: anreicherungs
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