Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique: Hétérostructure de silicium déformé sur isolant

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Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique: Hétérostructure de silicium déformé sur isolant

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Marken Editions Notre Savoir
EAN
  • 9786209848070

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