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AllgemeinGerätetypSolid State Drive - internKapazität3.84 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-bit AES-XTSNAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)FormfaktorM.2 22110SchnittstellePCIe 4.0 x4 (NVMe)Byte pro Sektor512MerkmaleV-NAND Technology, Samsung Elpis ControllerBreite22 mmTiefe110 mmHöhe3.8 mmGewicht20 gLeistungInterner Datendurchsatz5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)4 KB Random Read800000 IOPS4 KB Random Write85000 IOPSZuverlässigkeitMTBF2,000,000 StundenNicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17Erweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 4.0 x4 (NVMe)Kompatibles SchaltfeldM.2 22110StromversorgungEnergieverbrauch8.2 Watt (Lesen) 8.2 Watt (Schreiben) 2.5 Watt (Leerlauf)VerschiedenesKennzeichnungTUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCMUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CMin. Lagertemperatur-40 °CMax. Lagertemperatur85 °CZulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g
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