I fondamenti del MOSFET HOI a tre strati in regime nanometrico: Eterostruttura di silicio teso su tecnologia isolante

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I fondamenti del MOSFET HOI a tre strati in regime nanometrico: Eterostruttura di silicio teso su tecnologia isolante

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Marken Edizioni Sapienza
EAN
  • 9786209850639

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