Os fundamentos do MOSFET HOI de três camadas em regime nano: Heteroestrutura silício deformado sobre tecnologia isoladores

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Os fundamentos do MOSFET HOI de três camadas em regime nano: Heteroestrutura de silício deformado sobre tecnologia de isoladores

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Marken Edicoes Nosso Conhecimento
EAN
  • 9786209855757

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